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HN1A01FE-Y,LF Datenblatt-PDF - Toshiba

Hersteller:
Toshiba
Kategorie:
BJT Transistor, BJT
Fallpaket:
SOT-6
Beschreibung:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6Pin ES Embossed T/R
Dokumentation:

HN1A01FE-Y,LF Anderes Datenblatt (3 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/11/29 08:42:23 (UTC+8)

HN1A01FE-Y,LF Datenblatt-PDF (3 Seiten)

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Elektrische Spezifikation

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Anwendungsbereich

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HN1A01FE-Y,LF Dokumente

HN1A01FE-Y,LF Anderes Datenblatt

Toshiba

3 Seiten, 205 KB

HN1A01 Datenblatt-PDF

HN1A01FU-GR,LF
Datenblatt PDF

Toshiba

Transistor: PNP x2; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SOT363

HN1A01FE-Y,LF
Anderes Datenblatt

Toshiba

Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6Pin ES Embossed T/R

HN1A01FU-GR
Anderes Datenblatt

Toshiba

TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

HN1A01F-Y(TE85L,F)
Anderes Datenblatt

Toshiba

US PNP 50V 0.15A

HN1A01FU-Y,LF
Datenblatt PDF

Toshiba

US PNP 50V 0.15A

HN1A01FE-GR,LF
Datenblatt PDF

Toshiba

50V 0.15A

HN1A01F-GR(TE85L,F
Anderes Datenblatt

Toshiba

SM PNP 50V 0.15A

HN1A01F
Datenblatt PDF

Toshiba

SM PNP 50V 0.15A

HN1A01FU
Anderes Datenblatt

Toshiba

US PNP 50V 0.15A

HN1A01FE-GR
Anderes Datenblatt

Toshiba

TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ES6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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