HGTG18N120BND Datenblatt-PDF - Harris

Hersteller:
Harris
Beschreibung:
Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Dokumentation:

HGTG18N120BND Datenblatt PDF (11 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 9

Teilenummerierungssystem on Seite 2 Seite 11

Aktualisierte Zeit: 2024/05/29 03:17:36 (UTC+8)

HGTG18N120BND Datenblatt-PDF (11 Seiten)

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Markierungsinformationen

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Verpackungsinformationen

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Elektrische Spezifikation

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HGTG18N120BND Datenblatt PDF

Harris

11 Seiten, 368 KB

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