HGTG11N120CND Datenblatt-PDF - Harris

Hersteller:
Harris
Beschreibung:
Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Dokumentation:

HGTG11N120CND Anderes Datenblatt (10 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/05/31 05:35:53 (UTC+8)

HGTG11N120CND Datenblatt-PDF (10 Seiten)

Klicken Sie auf die Seite, um Datenblattdetails anzuzeigen

Klicken Sie auf Neu laden, um die Fehlerseite zu beheben >

HGTG11N120CND Dokumente

HGTG11N120CND Anderes Datenblatt

Harris

10 Seiten, 230 KB

Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 43A 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Intersil

43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Harris

Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

Datenblatt-PDF-Suche

Suche

100 Millionen Datenblatt-PDF, aktualisieren Sie mehr als 5.000 PDF-Dateien pro Tag.

Teile beziehen

ULN2003 INA226AIDGSR RF2001T3D 74HC73D,653 X9C104SIZT1 MAX17048G+T10 STM32F405VGT6 LMR62014XMF/NOPB AD8561 TLC556CDR

NB7N017MEVB SN74HCU7204PWRG4 ADS5421K5 MC9RS08KA4CWJ TPS2057ADRG4 FM25V20-PG LAN9250I/PT INA250A4PWR 06033D224KAT2A A-1230-2A

Beliebte Suche