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HGTG11N120CND
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HGTG11N120CND Datenblatt-PDF - ON Semiconductor

  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Kategorie:
    IGBT Transistor, IGBT Module
  • Fallpaket:
    TO-247-3
  • Beschreibung:
    Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • Dokumentation:
    Teilenummerierungssystem  on Seite 1
Aktualisierte Zeit: 2024/05/29 07:48:04 (UTC+8)
HGTG11N120CND Datenblatt-PDF (8 Seiten)
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HGTG11N120CND Dokumente

HGTG11N120CND Datenblatt PDF
ON Semiconductor
8 Seiten, 106 KB
HGTG11N120CND Anderes Datenblatt
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13 Seiten, 584 KB
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1 Seiten, 41 KB
HGTG11N120CND Notizdatei
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18 Seiten, 3131 KB

HGTG11N120 Datenblatt-PDF

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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Harris
Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
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