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HGTD1N120BNS9A Datenblatt-PDF - ON Semiconductor

Aktualisierte Zeit: 2024/07/29 00:18:31 (UTC+8)

HGTD1N120BNS9A Datenblatt-PDF (8 Seiten)

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HGTD1N120BNS9A Dokumente

HGTD1N120BNS9A Anderes Datenblatt

ON Semiconductor

8 Seiten, 93 KB

HGTD1N120BNS9A Notizdatei

ON Semiconductor

7 Seiten, 900 KB

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTD1N120BNS9A IGBT Single Transistor, 5.3A, 2.5V, 60W, 1.2kV, TO-252AA, 3Pins

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

Intersil

5.3A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA

Harris

Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA

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LT1677CS8#TR FAN5109BMX LM3724IM5-4.63 AQV253 B82477G4473M SY100E101JC UCA2V330MHD1TN ECQE6392KF LFE3-150EA-7FN1156C P2300SALRP

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