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HGT1S10N120BNS
Preis von AiPCBA

HGT1S10N120BNS Datenblatt-PDF - Fairchild

  • Hersteller:
    Fairchild
  • Kategorie:
    IGBT Transistor, IGBT Module
  • Fallpaket:
    TO-263-3
  • Beschreibung:
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 35A 3Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
  • Dokumentation:
    Teilenummerierungssystem  on Seite 1
Aktualisierte Zeit: 2023/11/18 21:03:32 (UTC+8)
HGT1S10N120BNS Datenblatt-PDF (8 Seiten)
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HGT1S10N120BNS Dokumente

HGT1S10N120BNS Datenblatt PDF
Fairchild
8 Seiten, 197 KB
HGT1S10N120BNS Anderes Datenblatt
Fairchild
18 Seiten, 967 KB

HGT1S10N120 Datenblatt-PDF

HGT1S10N120BNST
Datenblatt PDF
Fairchild
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGT1S10N120BNST IGBT Single Transistor, 35A, 2.45V, 298W, 1.2kV, TO-263AB, 3Pins
HGT1S10N120BNST
Datenblatt PDF
ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
HGT1S10N120BNS
Datenblatt PDF
Fairchild
Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 35A 3Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
HGT1S10N120BNS
Datenblatt PDF
ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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