GT30J122A(STA1,E,D Datenblatt-PDF - Toshiba

Hersteller:
Toshiba
Kategorie:
IGBT Transistor, IGBT Module
Fallpaket:
TO-3
Beschreibung:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 120000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
Dokumentation:

GT30J122A(STA1,E,D Anderes Datenblatt (36 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/12/01 00:05:38 (UTC+8)

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GT30J122A(STA1,E,D Dokumente

GT30J122A(STA1,E,D Anderes Datenblatt

Toshiba

36 Seiten, 1140 KB

Toshiba

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 120000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine

Toshiba

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3Pin(3+Tab) TO-3P(N)

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