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GT30J121(Q) Datenblatt-PDF - Toshiba

  • Hersteller:
    Toshiba
  • Kategorie:
    IGBT Transistor, IGBT Module
  • Fallpaket:
    TO-3-3
  • Beschreibung:
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Sack
  • Dokumentation:
Aktualisierte Zeit: 2023/12/01 00:05:35 (UTC+8)
GT30J121(Q) Datenblatt-PDF (6 Seiten)
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GT30J121(Q) Dokumente

GT30J121(Q) Datenblatt PDF
Toshiba
6 Seiten, 183 KB
GT30J121(Q) Anderes Datenblatt
Toshiba
9 Seiten, 230 KB
GT30J121(Q) Eigenschaften Beschreibung Parameter
Toshiba
27 Seiten, 380 KB

GT30J121 Datenblatt-PDF

GT30J121
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Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3Pin(3+Tab) TO-3PN
GT30J121(Q)
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Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Sack
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