FLM3742-8C Datenblatt-PDF - Fujitsu

Hersteller:
Fujitsu
Beschreibung:
RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2
Dokumentation:

FLM3742-8C Datenblatt PDF (4 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/11/29 14:05:06 (UTC+8)

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FLM3742-8C Dokumente

FLM3742-8C Datenblatt PDF

Fujitsu

4 Seiten, 224 KB

Sumitomo

RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 2Pin

Fujitsu

RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

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