FCB36N60N Datenblatt-PDF - ON Semiconductor

Hersteller:
ON Semiconductor
Fallpaket:
WLCSP-4
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 600V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Dokumentation:

FCB36N60N Anderes Datenblatt (10 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/05/12 06:19:34 (UTC+8)

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FCB36N60N Dokumente

FCB36N60N Anderes Datenblatt

ON Semiconductor

10 Seiten, 737 KB

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB36N60NTM Power MOSFET, N Channel, 36A, 600V, 0.081Ω, 10V, 2V

ON Semiconductor

Mosfet, n Channel, 600V, 0.081Ω, 36A, To-263-3

Fairchild

N-Channel SupreMOS MOSFET 600V, 25A, 125m

ON Semiconductor

Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 600V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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FCB36N60NTM 1N965 1N965 1N965 1N965 FCB36N60N FCB36N60NTM GJM1555C1H470GB01D 3203X503P STM32L081KZU6

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