DS1230Y-200+ Datenblatt-PDF - Dallas Semiconductor

Hersteller:
Dallas Semiconductor
Fallpaket:
740 EMOD
Beschreibung:
MEMORY; 256K NONVOLATILE SRAM; 200NS; 5V (MAX.); 85mA (MAX.); 200NS; 200NS
Dokumentation:

DS1230Y-200+ Datenblatt PDF (7 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/11/18 04:59:16 (UTC+8)

DS1230Y-200+ Datenblatt-PDF (7 Seiten)

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DS1230Y-200+ Dokumente

DS1230Y-200+ Datenblatt PDF

Dallas Semiconductor

7 Seiten, 82 KB

Maxim Integrated

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-100+ NVRAM, SRAM, 256Kbit, 32K x 8Bit, Parallel, 100ns, DIP

Maxim Integrated

Maxim DS1230Y-120+ NVRAM Memory, 256Kbit, 120ns, 4.5 → 5.5V 28Pin EDIP

Maxim Integrated

Maxim DS1230AB-100+ NVRAM Memory, 256Kbit, 100ns, 4.75 5.25V 28Pin EDIP

Maxim Integrated

Maxim DS1230Y-70IND+ SRAM Memory Chip, 256Kbit, 4.5 → 5.5V, 70ns 28Pin EDIP

Maxim Integrated

Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28

Maxim Integrated

Maxim DS1230AB-70+ NVRAM Memory, 256Kbit, 70ns, 4.75 → 5.25V 28Pin EDIP

Maxim Integrated

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230YP-70+ NVRAM, SRAM, 256Kbit, 32K x 8Bit, 70ns

Maxim Integrated

Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28

Maxim Integrated

Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28

Maxim Integrated

Maxim DS1230Y-200+ SRAM Memory, 256Kbit, 4.5 → 5.5V, 200ns 28Pin EDIP

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RC0402FR-0723K7P CAT1026WI30 DS1230Y-200-IND RC0402FR-07 23K7L HV51-350-000.08M BAS 3005B-02V E6327 DS1230Y-200IND 7201LA80DB 7201LA80TDB 7201LA80TDB

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