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BUP314D Datenblatt-PDF - Infineon

  • Hersteller:
    Infineon
  • Fallpaket:
    TO-218
  • Beschreibung:
    Trans IGBT Chip N-CH 1200V 42A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-218
  • Dokumentation:
Aktualisierte Zeit: 2023/12/21 16:51:37 (UTC+8)
BUP314D Datenblatt-PDF (9 Seiten)
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BUP314D Dokumente

BUP314D Datenblatt PDF
Infineon
9 Seiten, 94 KB

BUP314 Datenblatt-PDF

BUP314
Datenblatt PDF
Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 52A 300000mW 5Pin(5+Tab) TO-218AB
BUP314
Datenblatt PDF
Siemens Semiconductor
IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated)
BUP314D
Datenblatt PDF
Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 42A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-218
BUP314D
Datenblatt PDF
Siemens Semiconductor
IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode)
BUP314S
Datenblatt PDF
Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 25A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-218AB
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