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BSZ160N10NS3 G Datenblatt-PDF - Infineon

Aktualisierte Zeit: 2023/11/28 09:25:15 (UTC+8)

BSZ160N10NS3 G Datenblatt-PDF (37 Seiten)

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BSZ160N10NS3 G Dokumente

BSZ160N10NS3 G Datenblatt PDF

Infineon

9 Seiten, 453 KB

BSZ160N10NS3 G Benutzerreferenzhandbuch

Infineon

270 Seiten, 11877 KB

BSZ160N10NS3 G Anderes Datenblatt

Infineon

30 Seiten, 664 KB

BSZ160N10NS3 G Anwendungshinweis

Infineon

37 Seiten, 2068 KB

Infineon

MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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TSDSON N-CH 100V 8A

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Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8Pin TSDSON T/R

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.016Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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