BSM100GB120DN2 Datenblatt-PDF - Siemens Semiconductor

Hersteller:
Siemens Semiconductor
Beschreibung:
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
Dokumentation:

BSM100GB120DN2 Datenblatt PDF (9 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/11/20 14:35:01 (UTC+8)

BSM100GB120DN2 Datenblatt-PDF (9 Seiten)

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BSM100GB120DN2 Datenblatt PDF

Siemens Semiconductor

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Trans IGBT Module N-CH 1200V 145A 700000mW 7Pin 34MM-1

Infineon

Trans IGBT Module N-CH 1200V 205A 835000mW 7Pin 34MM Tray

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Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 780000mW 7Pin 62MM Tray

Eupec

Toshiba Power Transistor Module

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