BLF888B Datenblatt-PDF - NXP

Hersteller:
NXP
Beschreibung:
A 650W LDMOS RF power transistor for DVB-T broadcast applications optimised to give extremely high power and efficiency in Doherty solutions
Dokumentation:

BLF888B Datenblatt PDF (17 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/12/21 02:55:04 (UTC+8)

BLF888B Datenblatt-PDF (17 Seiten)

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BLF888B Dokumente

BLF888B Datenblatt PDF

NXP

17 Seiten, 156 KB

BLF888B Anderes Datenblatt

NXP

17 Seiten, 201 KB

BLF888 Datenblatt-PDF

BLF888
Datenblatt PDF

NXP

2Channel, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-5

BLF888
Datenblatt PDF

Ampleon USA

Trans RF MOSFET N-CH 104V 5Pin LDMOST

BLF888A,112
Datenblatt PDF

Ampleon USA

RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 600W, 20dB, 50V, LDMOS, SOT-593A

BLF888BS,112
Datenblatt PDF

Ampleon USA

RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 650W, 20dB, 50V, LDMOS, SOT-539B

BLF888A,112
Datenblatt PDF

NXP

Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin SOT-539A Bulk

BLF888B,112
Datenblatt PDF

Ampleon USA

RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 650W, 20dB, 50V, LDMOS, SOT-539A

BLF888EU
Datenblatt PDF

Ampleon USA

Trans MOSFET N-CH 104V 5Pin SOT-539A Bulk

BLF888DU
Datenblatt PDF

Ampleon USA

Trans RF MOSFET N-CH 104V 5Pin SOT-539A Blister

BLF888D
Datenblatt PDF

NXP

Trans MOSFET N-CH 5Pin SOT-539A Blister T/R

BLF888,112
Datenblatt PDF

NXP

Trans RF MOSFET N-CH 104V 5Pin LDMOST Bulk

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