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BLF246 Datenblatt-PDF - Advanced Semiconductor

  • Hersteller:
    Advanced Semiconductor
  • Beschreibung:
    RF Power Field-Effect Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.38INCH, FM-4
  • Dokumentation:
Aktualisierte Zeit: 2024/05/08 13:05:16 (UTC+8)
BLF246 Datenblatt-PDF (1 Seiten)
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BLF246 Dokumente

BLF246 Datenblatt PDF
Advanced Semiconductor
1 Seiten, 18 KB
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