BD676 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Beschreibung:
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Dokumentation:

BD676 Anwendungshinweis (4 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/05/30 00:17:03 (UTC+8)

BD676 Datenblatt-PDF (4 Seiten)

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BD676 Anwendungshinweis

Samsung

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