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APT100GT60JR Datenblatt-PDF - Microchip

Hersteller:
Microchip
Beschreibung:
IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP
Dokumentation:

APT100GT60JR Datenblatt PDF (6 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 6

Aktualisierte Zeit: 2024/06/29 07:08:01 (UTC+8)

APT100GT60JR Datenblatt-PDF (6 Seiten)

Elektrische Spezifikation

Elektrische Spezifikation

Abmessungen des Paketumrisses

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APT100GT60JR Dokumente

APT100GT60JR Datenblatt PDF

Microchip

6 Seiten, 162 KB

APT100GT60 Datenblatt-PDF

APT100GT60JRDQ4
Datenblatt PDF

Microsemi

Trans IGBT Chip N-CH 600V 148A 500000mW 4Pin SOT-227

APT100GT60JR
Datenblatt PDF

Microsemi

Trans IGBT Chip N-CH 600V 148A 500000mW 4Pin SOT-227

APT100GT60B2RG
Datenblatt PDF

Microsemi

Trans IGBT Chip N-CH 600V 148A 500000mW 3Pin(3+Tab) T-MAX

APT100GT60JRDL
Anwendungshinweis

Microsemi

Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode; Package: ISOTOP ; BV(CES) (V): 600; VCE(sat) (V): 2.5; IC (A): 80;

APT100GT60JRDQ4
Datenblatt PDF

Microchip

IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP

APT100GT60B2RG
Anderes Datenblatt

Microchip

IGBT 600V 148A 500W SOT247

APT100GT60JR
Datenblatt PDF

Microchip

IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP

APT100GT60LRG
Datenblatt PDF

Microsemi

Thunderbolt IGBT

APT100GT60B2R
Datenblatt PDF

Microsemi

Thunderbolt Igbt

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