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AFT20P140-4WGN Datenblatt-PDF - NXP

Hersteller:
NXP
Fallpaket:
FM-4
Beschreibung:
Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1880-2025MHz, 24W Avg., 28V
Dokumentation:

AFT20P140-4WGN Datenblatt PDF (17 Seiten)

Konfiguration des Pinbelegungsdiagramms on Seite 1 heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 10

AFT20P140-4WGN Benutzerreferenzhandbuch (48 Seiten)

Aktualisierte Zeit: 2023/11/15 04:14:46 (UTC+8)

AFT20P140-4WGN Datenblatt-PDF (48 Seiten)

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Anwendungsbereich

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AFT20P140-4WGN Dokumente

AFT20P140-4WGN Datenblatt PDF

NXP

17 Seiten, 546 KB

AFT20P140-4WGN Benutzerreferenzhandbuch

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48 Seiten, 2926 KB

AFT20P140-4WGN Anderes Datenblatt

NXP

3 Seiten, 75 KB

AFT20P1404 Datenblatt-PDF

AFT20P140-4WNR3
Datenblatt PDF

NXP

RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 130W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2025MHz, 28V, LDMOS, SOT1818

AFT20P140-4WNR3
Anwendungshinweis

Freescale

Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin OM-780 T/R

AFT20P140-4WGNR3
Datenblatt PDF

NXP

RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 130W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2025MHz, 28V, LDMOS, SOT1825

AFT20P140-4WGNR3
Anwendungshinweis

Freescale

RF MOSFET Transistors 1880-2025MHz 24W Avg. 28V

AFT20P140-4WN
Datenblatt PDF

NXP

Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1880-2025MHz, 24W Avg., 28V

AFT20P140-4WGN
Datenblatt PDF

NXP

Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1880-2025MHz, 24W Avg., 28V

AFT20P140-4WNR3
Anwendungshinweis

Avnet

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