A2I25D025GNR1

Preis von AiPCBA

A2I25D025GNR1 Datenblatt-PDF - NXP

Hersteller:
NXP
Kategorie:
BJT Transistor, BJT
Fallpaket:
TO-270-17
Beschreibung:
Amplifier,2100 to 2900MHz, 24W, Typ Gain in dB is 32.5 @ 2690MHz, 28V, LDMOS, SOT1730
Dokumentation:

A2I25D025GNR1 Datenblatt PDF (19 Seiten)

Konfiguration des Pinbelegungsdiagramms on Seite 1 heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 12

Teilenummerierungssystem on Seite 3

A2I25D025GNR1 Benutzerreferenzhandbuch (49 Seiten)

A2I25D025GNR1 Anwendungshinweis (8 Seiten)

Aktualisierte Zeit: 2024/01/04 07:45:00 (UTC+8)

A2I25D025GNR1 Datenblatt-PDF (19 Seiten)

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Anwendungsbereich

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Elektrische Spezifikation

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Elektrische Spezifikation

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A2I25D025GNR1 Datenblatt PDF

NXP

19 Seiten, 729 KB

A2I25D025GNR1 Benutzerreferenzhandbuch

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49 Seiten, 3708 KB

A2I25D025GNR1 Anderes Datenblatt

NXP

7 Seiten, 267 KB

A2I25D025GNR1 Anwendungshinweis

NXP

8 Seiten, 138 KB

A2I25D025 Datenblatt-PDF

A2I25D025NR1
Datenblatt PDF

NXP

Amplifier,2100 to 2900MHz, 24W, Typ Gain in dB is 32.5 @ 2690MHz, 28V, LDMOS, SOT1730

A2I25D025GNR1
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NXP

Amplifier,2100 to 2900MHz, 24W, Typ Gain in dB is 32.5 @ 2690MHz, 28V, LDMOS, SOT1730

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Freescale

"RF Amplifier 2300-2690MHz 2.5W Avg.

A2I25D025GN
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NXP

Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2690MHz, 2.5W Avg., 28V

A2I25D025N
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Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2690MHz, 2.5W Avg., 28V

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