2N6786 Datenblatt-PDF - Harris

Hersteller:
Harris
Fallpaket:
TO-205AF(TO-39)
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
Dokumentation:

2N6786 Datenblatt PDF (7 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/03/24 23:25:27 (UTC+8)

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