FQPF10N60 Datenblatt PDF

Teilserie:
FQPF10N60 Serie
Kategorie:
MOSFETs
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3Pin
Datenblatt:

FQPF10N60C Datenblatt PDF (10Seiten)

Aktualisierte Uhrzeit: 2024/07/01 03:38:20 (UTC+8)

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