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Teiledatenblatt > MOSFET, MOSFET Transistor > Infineon > IRL520N Datenblatt-PDF > IRL520N Anwendungshinweis Seite 1/37

IRL520N Anwendungshinweis - Infineon

  • Hersteller:
    Infineon
  • Kategorie:
    MOSFET, MOSFET Transistor
  • Fallpaket
    TO-220
  • Beschreibung:
    TO-220AB N-CH 100V 10A
Aktualisierte Uhrzeit: 2024-08-04 23:10:17 (UTC+8)

IRL520N Anwendungshinweis

Seite:von 37
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Some key facts about avalanche
About this document
Scope and purpose
The document aims to provide details about avalanche that are oen overlooked, disregarded or simply not
commonly known. Theory is examined in order to establish a baseline that is used later on when considering
examples. Some relevant comments about common avalanche test methods are also given. The final section of
the document covers repetitive avalanche.
Intended audience
Power supply design engineers, applications engineers, students.
Table of contents
About this document . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Table of contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2 Single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4
2.1 What is single pulse avalanche? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.1 Brief reminder about avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.2 Defining single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.3 Amplitude of V
DS
spikes in single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2 Failure mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.1 Latch-up . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.2 Thermal destruction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3 100% tested in production . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
3 Making use of the datasheet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.1 Existing information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.2 Extrapolation for other apps conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21
3.2.1 Example with T
j(start)
= 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.2.2 Repeating same procedure with a dierent T
j(start)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.3 Variation of E
AS
with L
loop
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.4 Comparing apples to apples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.5 Datasheet diagram for thermal impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27
4 Repetitive avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.1 What is repetitive avalanche? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2 Failure mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.3 Locating where avalanche occurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.4 Rating of OptiMOS
TM
families under repetitive avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .33
5 References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
AN_201611_PL11_002
Application Note
Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document Version 1.0
www.infineon.com 2017-01-9

IRL520N Datenblatt-PDF

IRL520N Datenblatt PDF
Infineon
11 Seiten, 193 KB
IRL520N Benutzerreferenzhandbuch
Infineon
270 Seiten, 11877 KB
IRL520N Anderes Datenblatt
Infineon
30 Seiten, 664 KB
IRL520N Anwendungshinweis
Infineon
37 Seiten, 2068 KB

IRL520 Datenblatt-PDF

IRL520
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VISHAY
TO-220 N-CH 100V 9.2A
IRL520
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MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
IRL520
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Vishay Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3Pin(3+Tab) TO-220
IRL520
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Vishay Intertechnology
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
IRL520
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Transistor N Channel MOSFET IRL520N 100V 9.2A TO-220
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
IRL520
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Infineon
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
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Fairchild
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRL520
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TI
9.2A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
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