Web Analytics
Datasheet
Teiledatenblatt > MOSFET, MOSFET Transistor > Infineon > IRF9540NPBF Datenblatt-PDF > IRF9540NPBF Anwendungshinweis Seite 1/37
IRF9540NPBF
€ 0.18
Preis von AiPCBA

IRF9540NPBF Anwendungshinweis - Infineon

  • Hersteller:
    Infineon
  • Kategorie:
    MOSFET, MOSFET Transistor
  • Fallpaket
    TO-220-3
  • Beschreibung:
    TO-220AB P-CH 100V 23A
Aktualisierte Uhrzeit: 2024-08-12 20:45:31 (UTC+8)

IRF9540NPBF Anwendungshinweis

Seite:von 37
PDF herunterladen
Neu laden
herunterladen
Some key facts about avalanche
About this document
Scope and purpose
The document aims to provide details about avalanche that are oen overlooked, disregarded or simply not
commonly known. Theory is examined in order to establish a baseline that is used later on when considering
examples. Some relevant comments about common avalanche test methods are also given. The final section of
the document covers repetitive avalanche.
Intended audience
Power supply design engineers, applications engineers, students.
Table of contents
About this document . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Table of contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2 Single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4
2.1 What is single pulse avalanche? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.1 Brief reminder about avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.2 Defining single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.3 Amplitude of V
DS
spikes in single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2 Failure mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.1 Latch-up . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.2 Thermal destruction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3 100% tested in production . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
3 Making use of the datasheet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.1 Existing information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.2 Extrapolation for other apps conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21
3.2.1 Example with T
j(start)
= 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.2.2 Repeating same procedure with a dierent T
j(start)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.3 Variation of E
AS
with L
loop
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.4 Comparing apples to apples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.5 Datasheet diagram for thermal impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27
4 Repetitive avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.1 What is repetitive avalanche? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2 Failure mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.3 Locating where avalanche occurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.4 Rating of OptiMOS
TM
families under repetitive avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .33
5 References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
AN_201611_PL11_002
Application Note
Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document Version 1.0
www.infineon.com 2017-01-9

IRF9540NPBF Datenblatt-PDF

IRF9540NPBF Datenblatt PDF
Infineon
9 Seiten, 923 KB
IRF9540NPBF Benutzerreferenzhandbuch
Infineon
270 Seiten, 11877 KB
IRF9540NPBF Anderes Datenblatt
Infineon
27 Seiten, 311 KB
IRF9540NPBF Diagramme zeichnen
Infineon
2 Seiten, 176 KB
IRF9540NPBF Anwendungshinweis
Infineon
37 Seiten, 2068 KB
IRF9540NPBF Notizdatei
Infineon
5 Seiten, 45 KB
IRF9540NPBF Andere Referenzen
Infineon
1 Seiten, 144 KB

IRF9540 Datenblatt-PDF

IRF9540
Datenblatt PDF
International Rectifier
100V 19A Single P Channel HEXFET Power MOSFET SO
IRF9540
Datenblatt PDF
Intersil
19A, 100V, 0.2Ω, P-Channel Power MOSFETs
IRF9540
Datenblatt PDF
VISHAY
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF9540
Datenblatt PDF
Vishay Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF9540
Datenblatt PDF
Fairchild
Trans MOSFET P-CH Si 100V 19A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF9540
Datenblatt PDF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB
IRF9540
Datenblatt PDF
Samsung
100V, P-channel power MOSFET
IRF9540
Datenblatt PDF
Harris
P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9540
Datenblatt PDF
Vishay Intertechnology
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
IRF9540
Datenblatt PDF
Infineon
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
Datenblatt-PDF-Suche
Suche
100 Millionen Datenblatt-PDF, aktualisieren Sie mehr als 5.000 PDF-Dateien pro Tag.
Dokumentation beziehen: IRF9540 Datenblatt PDF
Kontakt online
Bonnie - AiPCBA Sales Manager Online, vor 5 Minuten
Ihre E-Mail *
Nachricht *
Senden