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IRF7389PBF Anwendungshinweis - Infineon

Hersteller:
Infineon
Kategorie:
MOSFET, MOSFET Transistor
Fallpaket
SOIC-8
Beschreibung:
SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A

Aktualisierte Uhrzeit: 2024-08-11 15:46:26 (UTC+8)

Blockdiagramm

IRF7389PBF Anwendungshinweis

Seite:von 12

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Application Note AN 2014-02

V2.0 Feb. 2014

Introduction to Infineon’s Simulation Models

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G. Noebauer

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IRF7389PBF Notizdatei

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IRF7389 Datenblatt-PDF

IRF7389
Datenblatt PDF

International Rectifier

N,P채널 HEXFET, Vd = 30V, Rds = 0.029Ω, Id = 7.3A, Vd = -30V, Rds = 0.058Ω, Id = -5.3A, SOIC8 패키지

IRF7389
Datenblatt PDF

Infineon

SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A

IRF7389
Datenblatt PDF

IRF

HEXFET Power MOSFET

IRF7389TRPBF
Datenblatt PDF

Infineon

SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A

IRF7389PBF
Datenblatt PDF

Infineon

SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A

IRF7389TRPBF
Datenblatt PDF

International Rectifier

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8Pin SOIC T/R

IRF7389PBF
Datenblatt PDF

International Rectifier

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8Pin SOIC Tube

IRF7389TR
Datenblatt PDF

Infineon

SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A

IRF7389TR
Datenblatt PDF

International Rectifier

MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

IRF7389PBF-1
Datenblatt PDF

Infineon

30V 1N-1P Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

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